三星电子于 6 月 30 日开始量产 3nm 芯片。该公司现已安排在 7 月 25 日举行启动仪式，届时将推出世界上最先进的半导体3nm 芯片。

这些 3nm 芯片基于 Gate-All-Around (GAA) 晶体管架构，都将在 6 月开始量产一个月后向世界展示。

三星急于击败台积电

BusinessKorea报道称，首批 3nm 芯片将交付给一家中国加密货币矿工。据多家和新闻媒体报道，由于加密货币市场的现状，从长远来看，三星并不太依赖其中国加密货币客户。

据韩国 Pulse News 报道，第一批 3nm 出货仪式将于 7 月 25 日在京畿道华城芯片制造中心举行。此外，由于三星拥有最好的设备和技术，第一批在华城生产意味着小规模生产位于平泽。

韩国产业通商资源部长官 Lee Chang-yang 和三星设备解决方案部总裁兼首席执行官 Kyung Kye-Hyun 将出席该仪式。三星还计划在 2023 年和 2025 年开始生产第二代 3nm 芯片，以赶上半导体巨头台积电。

台积电计划在本月晚些时候或 8 月开始制造基于 FinFET 的 3nm 芯片。它可能会在 2025 年开始制造基于 GAA 技术的芯片。三星的 3nm 技术比台积电的 FinFET 更先进。