金半接触 欧姆接触（欧姆接触）

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1、欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件：（1）金属与半导体间有低的界能障碍。

2、（2）半导体有高浓度的杂质掺入。

3、前者可使界面电流中热激发部分增加，后者则使半导体耗尽区变窄，电子有更多的机会直接穿透(Tunneling)，而同时使Rc阻值降低。

4、扩展资料：半导体重掺杂时，它与金属的接触近似地有线性的和对称的电流一电压关系，并且有较小的接触电阻，因而是接近理想的欧姆接触。

5、制作欧姆接触最常用的方法是，用重掺杂的半导体与金属接触，例如金属-n+-n和金属-p+-P结构。

6、由于有n+、p+层，金属的选择就比较自由，可以考虑工艺上以及使用要求上的问题。

7、形成金属与半导体接触的方法有许多种，例如蒸发、溅射、电镀等等。

8、欲形成好的欧姆接触，有二个先决条件：（1）金属与半导体间有低的势垒高度(Barrier Height)（2）半导体有高浓度的杂质掺入(N ≧10EXP12 cm-3)前者可使界面电流中热激发部分(Thermionic Emission)增加;后者则使半导体耗尽区变窄，电子有更多的机会直接穿透(Tunneling)，而同时使Rc阻值降低。

9、前者可使界面电流中热激发部分(Thermionic Emission)增加;后者则使半导体耗尽区变窄，电子有更多的机会直接穿透(Tunneling)，而同时使Rc阻值降低。

10、若半导体不是硅晶，而是其它能量间隙(Energy Gap)较大的半导体(如GaAs)，则较难形成欧姆接触 (无适当的金属可用)，必须于半导体表面掺杂高浓度杂质，形成Metal-n+-n or Metal-p+-p等结构。

11、扩展资料良好的欧姆接触还应该具有以下几个主要特点：(1)可再生的低比接触电阻；(2)统一的、均匀的接触一半导体界面，在界面相就有平面同性；(3)光滑的表面形态；(4)高温工作状态下的热稳定性；(5)抗氧化；(6)好的勃附性；(7)工艺上的易实现；(8)好的机械性能。

12、在太阳能光电池制备过程中，常常需要没有整流效应的金属和半导体接触称为欧姆接触。

13、一般要形成欧姆接触，应选择金属功函数小于n型半导体的功函数或大于p型半导体的功函数。

14、使金属与半导体之间形成反阻挡层，可以阻止整流作用的产生。

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