什么是三极管如何分类（什么是三极管）

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1、三极管全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。

2、其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

3、三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

4、三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

5、三极管的使用：选用晶体管一要符合设备及电路的要求，二要符合节约的原则。

6、根据用途的不同，一般应考虑以下几个因素：工作频率、集电极电流、耗散功率、电流放大系数、反向击穿电压、稳定性及饱和压降等。

7、这些因素又具有相互制约的关系，在选管时应抓住主要矛盾，兼顾次要因素。

8、低频管的特征频率fT一般在2.5MHz以下，而高频管的fT都从几十兆赫到几百兆赫甚至更高。

9、选管时应使fT为工作频率的3～10倍。

10、原则上讲，高频管可以代换低频管，但是高频管的功率一般都比较小，动态范围窄，在代换时应注意功率条件。

11、一般希望β选大一些，但也不是越大越好。

12、β太高了容易引起自激振荡，何况一般β高的管子工作多不稳定，受温度影响大。

13、通常β多选40～100之间，但低噪声高β值的管子(如1815、9011~9015等)，β值达数百时温度稳定性仍较好。

14、另外，对整个电路来说还应该从各级的配合来选择β。

15、例如前级用β高的，后级就可以用β较低的管子；反之，前级用β较低的，后级就可以用β较高的管子。

16、集电极-发射极反向击穿电压UCEO应选得大于电源电压。

17、穿透电流越小，对温度的稳定性越好。

18、普通硅管的稳定性比锗管好得多，但普通硅管的饱和压降较锗管为大，在某些电路中会影响电路的性能，应根据电路的具体情况选用，选用晶体管的耗散功率时应根据不同电路的要求留有一定的余量。

19、对高频放大、中频放大、振荡器等电路用的晶体管，应选用特征频率fT高、极间电容较小的晶体管，以保证在高频情况下仍有较高的功率增益和稳定性。

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